UJT (Tek Eklemli Transistör)

Tanım : Kontrollü olarak akımı tek yönde ileten bir transistor türüdür

Sembolü:E  = Emiter   B1 = Base1  B2 = Base2

Yapısı: P-N Eklemidir, Şekilde görüldüğü gibi Emiter B2'ye daha yakındır. N yarı iletken parçada, güçlendirici katkı maddesi az olduğundan, direnci 4 ila 1 OKΩ gibi yüksek bir değerdedir.

E  = Emiter   B1 = Base1  B2 = Base2

Polarması: Bir UJT'ye B2>B1 ve E>B1 olmak üzere yeterli değerde doğru polarma uygulandığında iletir. İletim veya kesim durumunun kontrol uçları E- ^. BTdir. UJT'nin iletmesi, B2-B1 devresinde akım olusması demektir. Kesim ise, B2-B1 Votajına rağmen bu devreden akım geçmemesi anlamındadır 
Çalışma Prensibi: Bir UJT'nin yapısı, şekilde görüldüğü gibi ifade edilebilir.   P-N eklemi bir diyot teşkil eder. N yan iletken ise, B2-B1 boyunca, iki direnç olarak tanımlanabilir. RB1 direnci Emiter akımına bağlı olarak değeri değişen bir direnç olarak ifade edilir.

B2-B1 'e, doğru polarma uygulanmış iken, E-B1 uçlanna yeterli değerde bir doğru polarma verilirse, E-B1 akımı oluşur ve RB1 direnci azalır. Bu kontrol akımı, B2-B1 iletimin! sağlar.
 
 
          Muayenesi : UJT'nin güvenirlik muayenesi, AVO metrenin içindeki pil voltajı ile,     E-B1 ve B2-B1 uçlarına doğru polarma uygulandığında, iletip iletemediklerinin belirlenmesinden ibarettir.

Voltaj-Akım Karekteristiği : Bir UJT'nin, B2-B1 uçlarına uygun değerde doğru polarma uygulanmış iken, Emiter kontrol voltajının oluşturduğu Emiter akımıyla (IE), E-B1 voltajının nasıl değiştiğinin ifadesidir.

Grafikte görüldüğü gibi Emiter kontrol voltajı Vs, sıfır iken yapısal diyot. B2-E yoluyla ters polarıldı-ğından, Emiterden µA seviyesinde bir-IEO sızıntı akımı geçer.

Kontrol voltajı artırıldıkça negatif yönlü sızıntı akımı azalır, sıfır olur. Bu andan itibaren, yapısal diyot E-B1 yoluyla doğru polarma durumuna geçer ve IE, pozitif yönlü sızıntı akımına dönüşür.

Emiter kontrol voltajı artırılırken öyle bir an gelirki, E-B1 voltajı Vp i!e ifade edilen tepe değerine ulaşır. Ip akımının etkisiyle UJT'nin RB1 iç direnci hızla azalır, yapısal diyot normal iletim polarmasını kazanır, sonuçta emiter akımı IE, mA seviyesine çıkarak artmaya devam eder. Bu arada UjT iletime geçerek B2-B1 akımı oluşur. Grafikte görüldüğü gibi Vp anından itibaren emiter akımının artmasına karşın E-B1 voltajı, Vv değerine kadar azalmaktadır. (Akımın artmasına karşın, voltajın azalmasına neden olan RB1 iç direncindeki bu değişim, negatif direnç olarak tanımlanır.)

E-BI voltajındaki azalma Vv denen bir değere kadar sürer. Bu andan itibaren, Emiter kontrol voltajının artırılması sonucu IE arttığı zaman E-B1 voltajıda yükselir. Diğer bir ifade ile Vv anından itibaren RB1 'in negatif direnç etkisi kaybolur. Pozitif direnç etkisi oluşur.

Pozitif direnç etkisinin aktif olduğu bu bölgeye DOYUM BÖLGESİ denir. Doyum sözcüğü, emiter akımının artık UJT'nin iç yapısında bir değişikliğe neden olmadığım RBTin bundan böyle sabit direnç etkisi gösterdiğim, emiter akımı arttığında, RB1 uçlarındaki voltajın akımla doğru orantılı olarak artacağım ifade eder.

Tanımlamalar : B2-B1 devresin! oluşturan RB2+RB1 iç direnç, 4 ila 10KΩ.arasında değişen bir değere sahiptir.

       UJTnin P-N eklemini oluşturan yapısal diyotun iletebilmesi için anadonun, katodundan takriben 0.7 volt büyük olması gerekir. Yani VEB1>0.7+VOB1 iletim değeri grafikte Vp ile ifade edilen değerdir.

         İletimin başlamasından kısa bir süre sonra IB2-B1 akımınında etkisi ile pozitif direnç özelliği kazanan RB2 üzerindeki VOB2 voltajı artar sonuçta yapısal diyotun Anot-Katot polarması VEB1<0.7+VOB1 duru-muna geldiğînden, UJT kesime gider.